TSMC s'envole vers plus de finesse, avec un grand bond prévu dès l'année prochaine. On sait depuis peu que la firme devrait commencer la production massive en 40 nm lors du second trimestre 2009, avec 6 mois de retard, mais les choses devraient ensuite très vite s'enchaîner.

Au dernier trimestre 2009, la production en 32 nm devrait déjà commencer chez TSMC, le 40 nm ne serait alors qu'une simple transition dans les technologies de gravure. La firme annonce aussi pouvoir passer au 22 nm en 2011, puis au 15 nm en 2013.

Seul problème pour le numéro deux en recherche et développement de TSMC, Jack Sun, la réduction du coût de production est en chute libre selon une moyenne annuelle de 29 % entre 1993 et 2003, et les prévisions fixent ce chiffre à 26 % entre 2003 et 2018. Ce qui veut dire qu'en dessous du 32 nm, il sera de plus en plus difficile de réduire les coûts par rapport au précédent processus de gravure, alors que même que la réduction de la finesse de gravure est censée offrir un intérêt essentiel à l'industrie : la réduction des coûts de production des puces électronique (plus de puces imprimées sur une même galette de silicium).

Burn Lin, responsable de la division de miniaturisation des patrons de gravure chez TSMC, affirme par ailleurs que la firme mettra aussi son premier processus de gravure MEBDW (multiple-electron-beam direct write) en 2009. Une technique qui permet de graver en dessous des 20 nm, et dont le développement commencera donc dès l'année prochaine.