Intel et Micron viennent de fabriquer ce qu'ils présentent comme la première puce de mémoire flash NAND gravée sous les 40 nm. De quoi largement augmenter la densité de stockage de cette mémoire, en pleine explosion sur le marché.

Cette nouvelle puce est donc gravée à une finesse de 34 nm, et offre une densité de 32 Gbits de données, soit 4 Go à elle seule. Produite par la filiale commune IM Flash Technologies (IMFT) d'Intel et Micron, spécialisée dans la mémoire flash, cette puce est la première du genre à offrir 32 Gbits de capacité tout en s'adaptant à un format TSOP classique.

« Cette nouvelle puce de 32 Gbits offre la meilleure densité de stockage de données de toute l'industrie. Avec notre partenaire Intel, nous sommes fiers de dominer ensemble les processus technologiques de fabrication » explique-t-on chez Micron.


Ces puces de mémoire flash NAND en 34 nm font 172 mm² de surface et sont produites sur des wafers (galettes de silicium) de 300 mm de diamètre, ce qui permet d'y fabriquer quelques 1,6 To de stockage sur une seule galette. De quoi proposer de bon prix et une production plutôt massive. Intel annonce en plus pouvoir empiler deux packs de huit puces, pour offrir 64 Go de stockage sur une très petite surface.

IMFT a déjà envoyé les premiers échantillons de ces puces en test chez les clients. La production massive est annoncée pour la seconde moitié de l'année 2008, elle concernera à la fois la flash NAND SLC (Single Level Cell) et MLC (MultiLevel Cell). Intel annonce déjà que cette puce se retrouvera dans des SSD, dans des versions 256 Go qui seront du coup au format 1,8 pouce.