Sandisk annonce l'arrivée prochaine d'une toute nouvelle mémoire Flash NAND, intégrant cette fois trois bits par cellule. Les mémoires Flash NAND actuelles intègrent au maximum 1 (simple niveau SLC) ou 2 bits (multinivaux MLC) par cellule, cette nouvelle NAND x3 de Sandisk devrait donc permettre d'augmenter encore plus la densité de la Flash.

Dès mars ou avril 2008, Sandisk produira en masse des puces de 16 Gbits (2 Go) de mémoire Flash NAND x3, à une finesse de gravure de 56 nm. De quoi améliorer les rendements de production et réduire le coût final des composants pour un même investissement, explique Sandisk.

Cette mémoire à 3 bits par cellule est évidemment mise au point avec la collaboration de Toshiba, très proche de Sandisk dans le secteur. Les deux firmes ont présenté leur technologie à la dernière ISSCC (International Solid State Circuits Conference) de 2008, annonçant un débit de 8 Mo/s en écriture. Car effectivement, la mémoire MLC est plus lente que la SLC à 1 seul bit par cellule.

De la Flash NAND MLC en 43 nm en production massive

Sandisk en profite aussi pour annoncer la production massive de mémoire Flash MLC gravée en 43 nm dès le deuxième trimestre 2008. De quoi doubler la densité de l'actuelle Flash gravée en 56 nm, explique la firme.