Les chercheurs de Fujitsu viennent d'annoncer la mise au point d'une « Resistive Random Access Memory », de la ReRAM, une mémoire non volatile qui pourrait remplacer l'actuelle mémoire flash.

Cette mémoire a été perfectionnée pour permettre une très faible consommation d'énergie, en changeant certains matériaux qui la composent. Du coup, il est maintenant possible d'effacer des données sur ce prototype de mémoire en appliquant un courant de seulement 100 micro-Ampères, ou même moins, selon Fujitsu.


De plus même lors d'un effacement à très haute vitesse, en seulement 5 nanosecondes, la fluctuation de la résistance électrique des matériaux du prototype, lorsqu'on leur applique une tension, atteint seulement un dixième de la résistance observée jusqu'ici dans les précédents prototypes de mémoire ReRAM. Ceci améliore la maîtrise de ce type de RAM non volatile, tout en permettant sa miniaturisation et une production moins coûteuse.

Fujitsu présente ainsi sa ReRAM comme une alternative sérieuse à la mémoire flash. On en saura plus dans quelques années.