La course à la finesse de gravure 32 nm passera par l’utilisation du processus high-k-plus-metal-gate (HK+MG). Dans cette épreuve, Intel et IBM sont au coude à coude, mais grâce au second, AMD pourrait revenir dans la course.

IBM a annoncé récemment un accord majeur avec des fabricants et constructeurs tels que Samsung, Chartered Semiconductor, STMicroelectronics , Freescale Semiconductor, Infineon et AMD. Toutes ces sociétés doivent travailler ensemble à la production de semi-conducteurs gravés en 32 nm, à la fois pour les puces logiques et pour la mémoire. Pour cette dernière, c’est surtout la SRAM qui est visée pour la mémoire cache des processeurs.

Le processus HK+MG est critique pour le développement de la gravure 32 nm. Il n’est pas obligatoire, mais les autres méthodes disponibles présentent des pertes d’électrons au niveau des portes. Le docteur Gary Patton, vice président de la recherche et du développement du silicium chez IBM, indique que le procédé lithographique peut être comparé à une superposition de couches. Dans les couches inférieures, les matériaux utilisés actuellement ne peuvent plus empêcher les fuites d’électrons, ce qui entraîne une baisse d’efficacité du processeur ainsi qu’un dégagement supérieur de chaleur.

La solution du côté d’IBM est donc de remplacer les matériaux communément utilisés par de l’hafnium, un élément qui entre dans la composition d'un matériau dont la formule est évidemment gardée secrète. IBM travaille donc à la maîtrise du processus de fabrication qu’elle pourra tout à fait licencier aux sociétés qui en font la demande. C’est une porte ouverte pour AMD qui ne peut pas rivaliser avec Intel en terme de budget recherche et développement.