Hier tout juste, Hynix Semidconductor annonçait que ses usines allaient produire en masse de la mémoire vive gravée à 54 nm dès l'année prochaine.

Cette production massive commencera au cours de la seconde moitié de l'année 2008, explique le fabricant de mémoire. Cette annonce fait logiquement suite à la certification par Intel de la nouvelle RAM DDR2 gravée en 54 nm de Hynix.

Les puces certifiées par Intel offraient chacune 1 Gbit de capacité. Hynix explique que son nouveau processus de gravure en 54 nm permet d'améliorer les rendements de production de 40 % par rapport au précédent processus en 66 nm. De quoi baisser les coûts de production, tout en diminuant aussi la consommation d'énergie de ces puces, grâce aux technologies de « transistors en trois dimensions » et « W-DPG Dual Poly Gate ».

Cette annonce laisse penser que le prix de la mémoire DDR2 ne devrait pas vraiment remonter l'année prochaine. Les producteurs devront plutôt compter sur l'amélioration de leurs rendements et de leurs coûts de fabrication, plutôt que d'attendre la remontée de prix déjà bien effondrés dans le secteur.