Toshiba vient d'annoncer une grande avancée dans la MRAM, la mémoire dynamique à magnétorésistance tunnel (TMR). La nouvelle fait logiquement suite au Prix Nobel de physique récemment décerné à deux chercheurs français et allemands, Albert Fert et Peter Grünberg, qui ont permis de maîtriser la réalisation de jonctions tunnel magnétiques (MTJ, Magnetic Tunnel Junctions), le système sur lequel le MRAM se base.

La MRAM est une mémoire non volatile beaucoup plus rapide que la mémoire flash actuelle. Sa consommation est aussi minime, et la relative simplicité de sa structure promet de belles applications matérielles.


Toshiba a pu mettre au point sa MRAM en maîtrisant le spin des électrons pour changer avec un minimum d'énergie les polarités magnétiques au sein des jonctions tunnel magnétiques qui forment la base des cellules de mémoire statique de la MRAM. Une seconde technologie PMA (perpendicular magnetic anisotropy) permet ensuite d'organiser ces polarités de manière verticale dans la couche magnétique de la puce. On retrouve précisément l'idée des disques durs à enregistrement magnétique perpendiculaire (PMR), mais cette fois dans un semiconducteur, explique Toshiba.

En écriture, Toshiba précise obtenir 30 changements de polarités en 100 nanosecondes, soit l'équivalent de 35,7 Mo/s sur un bus théorique de 1 bit de données, très encourageant dès que l'on passera à des bus d'une largeur de 8 et 16 bits...


MàJ : correction du dernier paragraphe.