Toshiba et Sandisk inaugurent une nouvelle usine en ce moment même au Japon, sur le site de production de Toshiba dans la préfecture de Mie.

La construction de cette nouvelle usine, estampillée Fab 4, avait commencée en août 2006, elle s'est terminée 11 mois plus tard en juillet dernier. L'établissement commencera sa production de masse en décembre prochain. Le bâtiment offre une superficie totale de 181 000 m², sur 35 500 m² de terrain, de quoi produire un bon paquet de wafers de 300 mm, des galettes de silicium de 30 cm de diamètre.


Toshiba et Sandisk espèrent en fait pouvoir produire 80 000 wafers de 300 mm par mois dès la seconde moitié de l'année 2008. L'usine s'agrandira ensuite, et devrait être capable de produire 210 000 wafers chaque mois après les derniers travaux d'agrandissement. Cette Fab 4 gravera ces galettes de silicium à une finesse de 56 nm, puis passera au 43 nm dès le mois de mars 2008.

« La taille immense et la technologie de notre Fab 4 reflètent notre confiance et notre optimisme pour l'avenir, et nous pensons que ceci nous permettra de rencontrer la demande croissance de stockage Flash pour les années à venir » explique Eli Harari, PDG de Sandisk.

L'usine est particulièrement protégée contre les coupures de courant et utilise surtout les dernières technologies d'absorption des tremblements de terre. Elle appartient donc à la filiale commune entre Toshiba et Sandisk, Flash Alliance, dont Toshiba détient 50,1 % des parts, le reste revenant à Sandisk.