Hynix vient d'annoncer la signature d'un contrat de licence avec Innovative Silicon (ISi) pour l'exploitation de sa technologie de mémoire dynamique Z-RAM. Nous en parlions dans cette actualité, AMD compte aussi utiliser cette Z-RAM en lieu et place de la SRAM de ses processeurs.

L'avantage de cette mémoire est de pouvoir stocker un bit de donnée au sein de cellule de mémoire uniquement composée d'un transistor, sans condensateur. La taille d'une cellule de mémoire dynamique diminue alors, et à finesse de gravure identique, la densité augmente ainsi de 100 % par rapport à la DRAM, et de 500 % face à l'actuelle SRAM à la base de la mémoire cache des processeurs. Si la latence reste sensiblement la même, la vitesse de transfert semble en revanche un peu moins importante, selon les dernières informations.


Hynix pourrait donc doubler la capacité de ses puces de mémoire vive, toujours pour atteindre une plus grande densité. Ce serait alors le premier changement de la constitution des puces de DRAM depuis l'invention de cette mémoire en 1970, explique DailyTech. Et Hynix est aussi premier sur le coup.

La nouvelle est aussi de bon augure pour l'entreprise française Soitec, dont le procédé de gravure SOI (Silicon On Insulator) devrait être à la base de l'effet « floating body » exploité par la Z-RAM au moins jusqu'en 2015, selon les prévisions. Le Silicon On Insulator semble donc bien avoir trouvé un débouché qui devrait s'avérer juteux.

Hynix annonce déjà la plus petite puce de mémoire vive

Sans utiliser encore cette technologie de Z-RAM, Hynix annonce aussi avoir mis au point la puce de 1Gbit de mémoire vive la plus petite du monde, destinée aux engins de poche miniatures du marché grand public comme les téléphone portables.

Gravée en 66 nm, cette puce est non seulement plus petite, mais elle consomme aussi moins d'énergie et chauffera moins, bonne nouvelle pour les batteries et leur autonomie. Cette puce serait aussi la plus rapide disponible dans ce secteur, avec une bande passante de 1,6 Go/s à elle seule.