Samsung vient de finaliser sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm. La firme présentait cette nouvelle mémoire en janvier dernier, elle annonce maintenant sa production massive sous forme de puce de mémoire de 16 Gbits, soit 2 Go.


La marque coréenne affirme qu'elle est ainsi en avance d'une demi-génération sur la concurrence, qui produit actuellement en masse de la mémoire gravée en 55 nm maximum. Samsung en profite pour expliquer qu'un processus en 51 nm permettra encore d'améliorer la rentabilité de sa production par rapport au reste de l'industrie, avec un rendement 60 % plus efficace que celui d'une fabrication en 60 nm.

80 % plus rapide que la MLC actuelle

Samsung explique en plus que cette nouvelle mémoire MLC en 51 nm offre des débits de transferts 80 % plus élevés que ceux d'une mémoire MLC en 60 nm. Les débits sont donc presque doublés en lecture et en écriture, une bonne nouvelle pour minimiser le principal défaut de la mémoire MLC face à la flash SLC, moins dense mais plus véloce.


Samsung annonce ainsi de futures cartes mémoire de 16 Go, qui devraient stimuler la demande de mémoire flash dans les prochains mois. Le Coréen s'attend ainsi à vendre pour 21 milliards de dollars de mémoire flash d'ici 2010.