Intel se prépare à produire de la mémoire non volatile à changement de phase PRAM dès cette année 2007. De quoi proposer une alternative plus performante à la mémoire flash actuelle très bientôt.

Les premiers échantillons de PRAM devraient sortir des usines Intel dès le mois de juin prochain, ils seront gravés en 90 nm, par puce de 128 Mbits, soit 16 Mo de capacité. La production de masse devrait ensuite commencer avant la fin de l'année 2007, selon le journal EETimes qui rapporte les déclarations de Brian Harrison, le vice-président du groupe mémoire flash d'Intel lors d'une conférence de presse en Californie, hier mardi 6.


En juin 2006, Intel et STMicroelectronics s'étaient alliés pour faire avancer la recherche sur la PRAM, une idée à l'origine achetée à l'entreprise Ovonyx, une filiale de Energy Conversion Devices.

Aujourd'hui, Intel présente une puce de 128 Mbits capable de survivre à 100 millions de cycles d'écriture, avec une longévité de stockage « grandement supérieure à 10 années », même dans des conditions très difficiles de températures.

Cette PRAM se destine à remplacer l'actuelle mémoire flash NOR, spécialisée dans le stockage d'application à exécuter, tandis que la flash NAND est plus à l'aise dans l'archivage de données numériques basiques. La PRAM sera bien plus rapide que la flash NOR, et bien plus dense.