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Samsung débute la production massive de RAM en 60 nm
Meilleurs rendements
Meilleurs rendements
Samsung annonce aujourd'hui la production massive de mémoire vive suivant un nouveau procédé de fabrication à une finesse de 60 nm. De quoi améliorer les rendements de production de 40 % par rapport à la précédente méthode de gravure en 80 nm, selon la marque.
Samsung affirme même atteindre un rendement deux fois meilleur que celui de ses anciennes productions en 90 nm. La marque s'appuie notamment sur le système Vista, qui recommande 1 Go de mémoire vive pour bien tourner, afin d'écouler ses nouvelles puces de mémoire.
La RAM 60 nm de Samsung sera produite en puce de 1 Gbit, soit 128 Mo de capacité. Le Coréen annonce donc des barrettes de mémoire de 512 Mo, 1 Go et 2Go de mémoire, compatibles 667 et 800 MHz.
Au passage, la marque se félicite de sa technologie de transistor 3D RCAT (recess channel array transistor) qui devrait permettre de descendre sous une finesse de gravure de 50 nm. Cette technique RCAT est utilisée par Samsung depuis les débuts de sa production en 90 nm.
Samsung affirme même atteindre un rendement deux fois meilleur que celui de ses anciennes productions en 90 nm. La marque s'appuie notamment sur le système Vista, qui recommande 1 Go de mémoire vive pour bien tourner, afin d'écouler ses nouvelles puces de mémoire.
La RAM 60 nm de Samsung sera produite en puce de 1 Gbit, soit 128 Mo de capacité. Le Coréen annonce donc des barrettes de mémoire de 512 Mo, 1 Go et 2Go de mémoire, compatibles 667 et 800 MHz.
Au passage, la marque se félicite de sa technologie de transistor 3D RCAT (recess channel array transistor) qui devrait permettre de descendre sous une finesse de gravure de 50 nm. Cette technique RCAT est utilisée par Samsung depuis les débuts de sa production en 90 nm.
Rédigée par le jeudi 01 mars 2007 à 16h10 (11109 lectures)
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