Des chercheurs de l'UCLA (University of California, Los Angeles) et du California Institute of Technology viennent de trouver un nouveau moyen de stockage qui brise tous les records de densité atteints jusqu'à présent chez les circuits électroniques. L'annonce devrait se faire publiquement cette semaine, mais l'UCLA publie déjà quelques premières explications alléchantes.

Alors qu'une cellule de mémoire unique stocke pour l'instant 1, 2 ou même 4 bits de données pour les mémoires flash les plus évoluées, les chercheurs ont trouvé le moyen d'y stocker 160 kilobits de données. De quoi obtenir une densité de stockage impressionnante, de l'ordre de 100 Gbits/cm².

Pour se faire une idée, une seule cellule de mémoire est alors capable de stocker toute la Déclaration d'Indépendance américaine, avec encore de l'espace libre, selon les chercheurs. Il faudra en revanche être patient, cette technologie ne devrait pas arriver sur le marché avant plusieurs années.

« C'est un genre de périphérique qu'Intel peut penser fabriquer en 2020. Mais pour le moment, cela nous rapproche de notre objectif de fabrication de circuits électroniques fonctionnels aux dimensions moléculaires » explique James Heath, directeur du projet de recherche.


La cellule de mémoire de 160 kilobits est faite de 400 filins de silicium croisés de 400 filins de titane. Une couche d'interrupteurs (switch) moléculaires est littéralement prise en sandwich entre les deux groupes de 400 filins. Chaque croisement de filins équivaut alors à un bit de données, de seulement 15 nanomètres de large contre 140 nm actuellement.

Les interrupteurs moléculaires sont baptisés « rotaxanes », ils sont composés de deux molécules « sculptées », l'une comme un doigt, l'autre comme une bague. Sous l'effet d'une stimulation électronique, la bague change de place sur le doigt, définissant alors un bit : 1 ou 0.

Rendez-vous en 2020 !