IBM, Qimonda et Macronix présentent aujourd'hui un prototype de mémoire à changement de phase destiné à remplacer l'actuelle mémoire Flash de nos périphériques. Selon les trois entreprises, cette mémoire est plus rapide, et moins gourmande en énergie que la Flash.

Cette mémoire non volatile permet de garder des données stockées sans aucune alimentation électrique, tout comme la Flash. Les bits de données sont stockés par changement de phase, cristalline (0) ou non cristalline (1), des états parfaitement stables, hors de toute alimentation électrique.


Mieux encore, le changement de phase entre le 0 et le 1 est annoncé 500 fois plus rapide que celui de la mémoire Flash classique. De plus, l'écriture de données y est deux fois moins gourmande en énergie, avec un reset (remise d'un bit à 0) qui n'absorbe que 100 µA, selon les chercheurs des trois sociétés.

La technologie ainsi mise au point serait capable de créer des puces de mémoire gravées en 22 nm et même moins par l'avenir. Le matériau clé de cette mémoire est l'alliage GeSb (germanium-antimoine) déposé en fine couche, et mélangé à quelques autres éléments permettant d'améliorer les propriétés de l'alliage.

Une mémoire qui est encore en phase de développement, mais le prototype d'IBM, Qimonda et Macronix semble bien fonctionner. On pourra trouver quelques illustrations animées sur cette page, chez IBM.