Un an après l'adoption de la Z-RAM, AMD continuera d'utiliser cette technologie en intégrant la Z-RAM Gen2. Développée par la société suisse Innovative Silicon (ISi), il s'agit tout simplement de la nouvelle génération de Z-RAM (Zero Capacitor RAM), de la DRAM qui a pour particularité de ne pas utiliser de condensateur, mais aussi d'être capable de stocker un bit de données dans une cellule composée d'un seul transistor.

Selon ISi, la Z-RAM Gen2 est bien supérieure à la première génération. Elle serait d'après Mark-Eric Jones, le président de ISi, deux fois plus rapide, et sa consommation serait de 75 % inférieure en lecture et de 90 % en écriture. Une performance atteinte grâce à une production en 45/65nm, contre du 65/90nm pour la première génération de Z-RAM.

Comparativement à la SRAM et l'eDRAM, les capacités de la Z-RAM Gen2 restent sensiblement les mêmes que celles de la Gen1. Elle serait ainsi au maximum 2 fois plus dense que l'eDRAM et 6 fois plus que la SRAM. Techniquement, ISi annonce que la Z-RAM Gen2 est capable d'atteindre plus de 5Mb par mm² (en 65nm) et 10Mb par mm² (en 45nm). Tout ceci pour une consommation de 10μW/MHz, en basse consommation optimisée.