Samsung confirme son rôle dans l'évolution des mémoires électroniques. Le Coréen annonce aujourd'hui une nouvelle mémoire Flash gravée à une finesse de 40 nm, ainsi qu'un nouveau type de mémoire baptisé PRAM.

La PRAM, pour Phase-change Random Access Memory, est une mémoire non volatile 30 fois plus rapide que la Flash. Cette PRAM est en revanche plutôt censée remplacer la mémoire Flash NOR dans les prochaines années. Samsung a déjà mis au point une puce de 512 Mbits (64 Mo) de PRAM, présentée lors d'une conférence de presse à Seoul, et affectueusement surnommée « perfect RAM » par le Coréen.


Cette PRAM est particulièrement rapide, car elle peut écrire les données sans avoir à supprimer les données précédentes. Elle est aussi plus durable, avec une durée de vie 10 fois supérieure à la mémoire Flash traditionnelle. Chaque cellule de PRAM est en plus deux fois plus petite qu'une cellule de mémoire Flash NOR. Samsung pense mettre à disposition cette mémoire sur le marché en 2008, grâce à une production 20 % plus rapide que pour la Flash NOR.

Samsung ne s'arrête pas en si bon chemin. Du côté de la mémoire Flash NAND, plus dédiée au stockage de données (la NOR étant destinée au stockage de systèmes logiciels embarqués, grâce à une meilleure vitesse d'exécution), le Coréen annonce la mise au point de ses premières puces de mémoire à 40 nm, capables d'offrir 32 Gbits de stockage (4 Go) par puce.


Cette nouvelle mémoire Flash est dotée d'une nouvelle architecture CTF (Charge Trap Flash), qui lui permet de réduire le bruit intercellulaire, et d'atteindre à terme une finesse de gravure de 30 nm, ou même 20 nm, selon Samsung.

La marque va donc lancer des cartes mémoire de 64 Go grâce à ses nouvelles puces de 32 Gbits. Ce sera la septième génération de mémoire Flash NAND chez Samsung, de quoi toujours tenir les objectifs de Samsung : multiplier par deux la capacité des puces de mémoire Flash tous les 12 mois.