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La société DRAMeXchange, experte dans l'analyse du marché de la mémoire vive, vient de publier un état des lieux du marché de la mémoire graphique. Les analystes affirment que la GDDR5 devrait arriver très vite, dès l'année prochaine.
La demande en mémoire graphique va aussi augmenter fortement durant le dernier trimestre 2006, grâce aux deux nouvelles consoles que Sony et Nintendo prévoient de sortir sur le marché. Le rapport affirme aussi que Windows Vista stimulera aussi le marché dès le premier trimestre 2007. Les producteurs de RAM augmenteront donc leur production pour les deux trimestres à venir.
Les analystes affirment que c'est la progression de la fréquence des GPU qui pousse au développement de nouvelles mémoires GDDR. La RAM graphique devra effectivement toujours tenir la route face à la demande croissante des GPU en bande passante mémoire. Samsung et Hynix commencent leur production de GDDR4, destinée aux prochaines cartes graphiques d'ATI et de NVIDIA. La Radeon X1950XTX d'ATI sera d'ailleurs équipée de mémoire Samsung GDDR4 0,91 ns à 1100 MHz, des modules fonctionnant sur une tension de 1,8 V.
La GDDR4 est donc presque là, mais la GDDR5 est déjà en développement, et les prototypes de puce arriveront dans les labos de l'industrie dès la mi-2007.
La demande en mémoire graphique va aussi augmenter fortement durant le dernier trimestre 2006, grâce aux deux nouvelles consoles que Sony et Nintendo prévoient de sortir sur le marché. Le rapport affirme aussi que Windows Vista stimulera aussi le marché dès le premier trimestre 2007. Les producteurs de RAM augmenteront donc leur production pour les deux trimestres à venir.
Les analystes affirment que c'est la progression de la fréquence des GPU qui pousse au développement de nouvelles mémoires GDDR. La RAM graphique devra effectivement toujours tenir la route face à la demande croissante des GPU en bande passante mémoire. Samsung et Hynix commencent leur production de GDDR4, destinée aux prochaines cartes graphiques d'ATI et de NVIDIA. La Radeon X1950XTX d'ATI sera d'ailleurs équipée de mémoire Samsung GDDR4 0,91 ns à 1100 MHz, des modules fonctionnant sur une tension de 1,8 V.
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