Deux chercheurs américains, Milton Feng et Walid Hafez, affirment avoir mis au point le transistor le plus rapide du monde. Les deux scientifiques ont pu atteindre une fréquence de fonctionnement de 604 GHz, soit 604 milliards d'opérations en une seconde.

« C'est une nouvelle référence dans les performances des transistors. C'est environ trois fois plus rapide que le plus rapide des composants silicium actuels » explique un autre scientifique de l'Université de Caroline du Nord, aux USA.

Le transistor capable de fonctionner à 604 GHz est un nouveau type d' assemblage de plusieurs couches de matériaux les uns sur les autres. Les deux chercheurs ont ainsi développé un transistor à jonction bipolaire (« bipolar junction transistor »), qui regroupe trois couches de matières différentes.

Les deux nouveaux matériaux en question sont l' « Indium phosphide » et l' « Indium gallium arsenide ». Ces matières permettent une meilleure circulation des électrons, ce qui permet des vitesses de fonctionnement accrues.

De telles vitesses ne sont en revanche possibles que dans un laboratoire pour l'instant. Les chercheurs précisent que l'on ne verra pas un composant électronique complexe basé sur cette technologie avant de longues années encore. On envisage cependant de nombreuses applications pour ces nouveaux matériaux dans les puces de réception et de transmission radio, qui doivent capter des fréquences sans cesse plus élevées.