ST Microelectronics affirme avoir mis au point la mémoire flash NAND la plus rapide du monde en lecture. Cette puce de 4 Gbits (512 Mo) est capable d'atteindre un débit de 36 Mo/s, soit deux fois plus que la flash NAND actuelle la plus rapide.

La puce sera présentée à l'ISSC 2006 (International Solid State Circuits Conference) de San Francisco, du 5 au 9 février 2006. Les ingénieurs de ST Micro ont travaillé de concert avec ceux de Hynix Semicondutor pour mettre au point une technique de correction d'erreurs bien plus rapide, qui permettrait alors des débits de transfert de données significativement plus importants.

Le circuit de correction d'erreurs, intégré à la puce de mémoire, représente moins de 1 % de la surface totale de la puce, soit 1,3 mm², et consomme moins de 1mA. La technique utilisée est celle des système de communication réseau sans fil (WLAN), appelée Bose-Chaudhuri-Hocquenghem (BCH). Elle permet de débusquer et de corriger à la volée jusqu'à 5 erreurs sur une même page de mémoire.

La puce de mémoire flash est en plus de grande capacité, elle utilise aussi la technologie MLC (Multi Level Cell), qui permet de stocker les bits de données sur plusieurs couches dans une même puce (ici, 2 bits par cellule de mémoire). Cette configuration MLC nécessite en revanche un contrôle d'erreur plus complexe, souvent pris en charge par un processeur externe à la puce, qui manque d'instructions dédiées et bride alors les débits de transfert.

Sans ce système, le débit maximal était de 23 Mo/s en lecture, il est désormais de 36 Mo/s. ST Micro destine cette mémoire NAND aux engins de poches à mémoire flash, tels que les lecteurs MP3, clé USB, ou même les prochains disques durs hybrides, si son coût n'est pas exorbitant.