Freescale vient d'affirmer officiellement avoir mis au point un MOSFET à l'arséniure de gallium. Après 40 années de recherches, les ingénieurs ont pu fabriquer un produit « commercialement fiable », selon la société.

Alors que les transistors sont classiquement composés de silicium, ce MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou Transistor à Effet de Champ Métal-Oxyde) n'est pas « en arséniure de gallium », mais plutôt « à l'arséniure de gallium », car il reste en majorité composé de silicium.

Ce transistor devrait conduire les électrons 20 fois plus rapidement que les transistors en silicium. Durant les 40 années de recherches, les principales difficultés rencontrées se résumaient à du gaspillage d'énergie dû à certaines pertes incontrôlées d'électrons. Le problème est désormais résolu selon Freescale, qui est arrivée à contrôler ces instabilités en mettant au point un transistor composé à la fois de silicium et d'arséniure de gallium.

Autre problème majeur, ces MOSFET au gallium sont bien plus chers que les transistors classiques en silicium. Et sur ce dernier point, Freescale avoue que si le procédé fonctionne, il n'est en revanche pas moins coûteux. Ainsi, ces transistors ne sortiront pas sur le marché avant trois années au moins, et ils seront réservés à des utilisations restreintes et très spécifiques.

Freescale affirme travailler maintenant sur la réduction des coûts de production, et pense déjà à la commercialisation de leurs produits au gallium, ainsi qu'à quelques attributions de licences bien juteuses.