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AMD vient de signer un accord d'utilisation de licence pour reprendre la technologie Z-RAM de la société Innovative Silicon. AMD se dit intéressée par cette Z-RAM afin de l'utiliser dans ses CPU, en remplacement de l'actuel SRAM qui compose leur mémoire cache.
La Z-RAM, pour Zero capacitor RAM, est un nouveau type de mémoire utilisant l'effet « floating body » qui s'opère dans les puces produites par la technologie SOI (Silicon On Insulator). Cet effet permet de stocker un bit de données dans une cellule composée uniquement d'un transistor, alors que les cellules de mémoire actuelles nécessitent l'adjonction d'un condensateur dans chaque cellule de mémoire.
La société IS, qui utilise donc la même technologie SOI qu'AMD pour ses processeurs, explique que la Z-RAM peut ainsi offrir 5 fois plus de capacité que la SRAM pour une même surface, et deux fois plus de capacité que la DRAM. Elle possède en outre les mêmes propriétés : latence minime, mémoire volatile et dynamique. Elle consommera aussi moins d'énergie, mais selon les documents de IS, elle serait aussi légèrement moins rapide que la SRAM.
AMD espère ainsi tirer profit du SOI pour aider à la concurrence contre Intel, qui se sert toujours de ses propres technologies de production de puces, sans passer par le SOI. « La Z-RAM peut offrir une bien plus grande mémoire cache dans les processeurs, permettant une amélioration de ses performances et une baisse de la consommation d'énergie. Les données de Innovative Silicon semblent très prometteuses. Nous devons encore nous assurer que cela marche pour nos puces. Nous devons donc faire nos propres tests d'intégration. », explique Craig Sander, numéro deux du développement technologique chez AMD.
AMD va tenter cette technologie en 65 nm et en 90 nm dans ses usines de Dresde, en Allemagne. Sander n'a pas apporté de date, l'intégration de cette technologie devant encore faire l'objet d'études poussées chez AMD. Il faudra en revanche confirmer que les intentions d'AMD quant à la Z-RAM sont uniquement destinées aux CPU, les seules puces produites grâce au SOI chez AMD.
L'avantage de la Z-RAM est aussi son potentiel de miniaturisation des cellules, qui ne sont plus limitées par la taille du condensateur, mais uniquement du transistor.
La Z-RAM, pour Zero capacitor RAM, est un nouveau type de mémoire utilisant l'effet « floating body » qui s'opère dans les puces produites par la technologie SOI (Silicon On Insulator). Cet effet permet de stocker un bit de données dans une cellule composée uniquement d'un transistor, alors que les cellules de mémoire actuelles nécessitent l'adjonction d'un condensateur dans chaque cellule de mémoire.
La société IS, qui utilise donc la même technologie SOI qu'AMD pour ses processeurs, explique que la Z-RAM peut ainsi offrir 5 fois plus de capacité que la SRAM pour une même surface, et deux fois plus de capacité que la DRAM. Elle possède en outre les mêmes propriétés : latence minime, mémoire volatile et dynamique. Elle consommera aussi moins d'énergie, mais selon les documents de IS, elle serait aussi légèrement moins rapide que la SRAM.
AMD espère ainsi tirer profit du SOI pour aider à la concurrence contre Intel, qui se sert toujours de ses propres technologies de production de puces, sans passer par le SOI. « La Z-RAM peut offrir une bien plus grande mémoire cache dans les processeurs, permettant une amélioration de ses performances et une baisse de la consommation d'énergie. Les données de Innovative Silicon semblent très prometteuses. Nous devons encore nous assurer que cela marche pour nos puces. Nous devons donc faire nos propres tests d'intégration. », explique Craig Sander, numéro deux du développement technologique chez AMD.
AMD va tenter cette technologie en 65 nm et en 90 nm dans ses usines de Dresde, en Allemagne. Sander n'a pas apporté de date, l'intégration de cette technologie devant encore faire l'objet d'études poussées chez AMD. Il faudra en revanche confirmer que les intentions d'AMD quant à la Z-RAM sont uniquement destinées aux CPU, les seules puces produites grâce au SOI chez AMD.
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